ALD工作原理介绍

发布时间：

2024-10-01

概要

原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）是一种精密薄膜沉积技术，其工作原理基于原子层控制和循环沉积反应的特点。

ALD技术是一种逐层沉积工艺，通过交替地向基底表面引入两种气体前体，每次引入一层薄膜的原子层数量可以精确控制。ALD的工作原理基于气相前体分子在表面的吸附和反应，形成一层原子精密的原子层覆盖。首先，基底表面提供一定的活性位点，然后第一个前体气体通过灌注进入，其中的反应产物与基底表面反应生成一层原子膜。随后，多余的前体气体被排出反应室。接着，第二个前体气体灌入反应室，与第一层产生的薄膜反应，再次形成原子层，多余气体排出。这一循环过程不断重复，直到达到所需的薄膜厚度。
ALD的工作原理保证了薄膜沉积的原子层控制和均匀性，使得其在半导体、光电器件等领域得到广泛应用。通过精心设计反应条件和前体气体选择，可以实现多种薄膜的沉积，如氧化锌、二氧化硅等。ALD技术的发展为微纳加工领域带来了新的可能性，也是实现纳米尺度器件制备的重要方法之一。

上一个：

下一个：

更多新闻

2026-03-24

盛会相约｜芯笙微纳邀您共赴 SEMICON CHINA 2026

2026-03-04

喜报｜芯笙微纳登榜2025年度“青岛好成果”优秀转化案例TOP10！

2026-02-11